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抢跑台积电和英特尔!三星电子传出将于6月30日开始量产3纳米芯片

来源:随客网
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6月29日消息,据BusinessKorea报道,三星电子将于6月30日开始批量生产基于全环绕栅极(GAA)技术的3纳米半导体。

 

如果消息属实的话,那么三星电子将抢先台积电和英特尔量产3纳米芯片。

 

台积电计划2022年下半年开始大规模生产3纳米芯片;英特尔计划2023年下半年开始大规模生产3纳米芯片。

3纳米芯片,到底有多强?

 

台积电曾称,预估每升级一代,同单位面积的晶体管数量相比上一代,都能成长1.7 ~1.8倍,以3纳米制程相较现有的5纳米制程芯片来说,芯片密度便提升了1.7倍,而预估芯片效能将可提升11%,但同等级效能下,能耗又可降低25 ~30%。

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