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SK 海力士公告第 8 代 3D NAND:堆叠层数超过 300 层,可提高 SSD 性能、降低成本

来源:IT之家
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IT之家消息,SK 海力士(SK Hynix)近日宣布第八代 3D NAND 的详细信息,堆叠层数超过 300 层,预估将于 2024 年年底或者 2025 年年初上市发售。

IT之家从 SK 海力士官方公告中获悉,第 8 代 3D NAND 堆叠成熟超过 300 层,容量为 1Tb(128GB),具有三级单元和超过 20Gb / mm^2 的位密度(bit density)。

该芯片的页容量(page size)为 16KB,拥有 4 个 planes,接口传输速度为 2400MT / s,最高吞吐量为 194MB/s(比第 7 代 238 层 3D NAND 快 18%)。

新 NAND 的位密度增加近一倍,意味着将显着提高新制造节点的每晶圆生产率,也将降低 SK 海力士的成本,只是尚不清楚具体程度。

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