三星计划缩减HBM3E产能：扩大1b nm制程

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12月3日消息，据媒体报道称，三星正在考虑调整其DRAM制造策略，计划将原用于生产HBM3E内存的1a nm制程通用DRAM产能削减30%至40%。

随后，三星将通过制程转换，扩大适用于标准内存产品（如DDR5、LPDDR5x）的1b nm制程产能，以实现整体获利的最大化。

由于AI需求爆发、HBM抢占核心产能以及短期内扩产幅度有限，而DDR5、LPDDR5x和GDDR7等通用内存产品价格近期快速飙升。

对于三星而言，目前1b nm制程的产能在获利能力上，已经超越了传统认为因HBM高价而受益的1a nm制程。

虽然三星最终成功成为NVIDIA的HBM3E供应商，但其供货规模相对受限，再加上三星HBM3E的平均售价本身就比竞争对手SK海力士低了三成。

基于这些因素，市场人士分析，如果三星将1a nm制程30%至40%的产能，以及1z nm等更成熟制程的产能切换至1b nm，则1b nm制程的月投片量有望额外扩充8万片晶圆，这将为三星的整体盈利带来明显帮助。

来源：快科技