11月3日消息，三星电子本周向投资者透露，近期将过渡和推进光刻技术，计划2024年下半年向市场推出采用第二代3nm工艺技术（SF3）以及量产版4nm工艺（SF4X）的产品。
该公司一份声明中写道：
我们计划今年下半年启动第二代3nm工艺、以及用于HPC的第4代4nm工艺的量产，进一步增强我们的技术竞争力。
由于移动需求的反弹和HPC需求的持续增长，预计市场将转向增长。
三星即将推出的SF3工艺技术是对其现有SF3E生产节点的重大升级，根据目前公布的信息，该节点仅用于制造用于加密货币挖矿的小型芯片。
三星声称，SF3将提供更大的设计多功能性，可以在相同的单元类型中，为不同的全栅极（GAA）晶体管提供不同的纳米片通道宽度。
尽管三星没有直接比较SF3和SF3E，但三星表示SF3比SF4（4LPP、4nm级、低功耗）有重大改进：包括在相同功率和复杂性下性能提高22%，或者在相同频率和晶体管数量下功耗降低34%，以及逻辑面积减少21%。
