4月19日消息，SK海力士宣布和台积电签署谅解备忘录（MOU），推进 HBM4 研发和下一代封装技术，目标在2026年投产HBM4。
根据双方签署的谅解备忘录，两家公司初期目标是改善HBM封装内最底层基础裸片（Base Die）的性能。
HBM是将多个DRAM裸片（Core Die）堆叠在基础裸片上，并通过TSV技术进行垂直连接而成，基础裸片也连接至GPU，在HBM中扮演非常重要的角色。
包括HBM3E（第五代HBM产品）在内，SK海力士旗下HBM产品的基础裸片此前均采用自家工艺制造，而从HMB4（第六代HBM产品）开始，该公司将采用台积电的先进逻辑（Logic）工艺。
消息称双方将会展开紧密合作，尝试使用台积电的CoWoS技术封装SK海力士的HBM产品，从而在性能和功效等方面，进一步满足客户的定制化（Customized）HBM产品需求。
SK海力士今年2月还制定了One Team战略，通过台积电建立AI半导体同盟，进一步巩固在HBM领域的优势。
此外，未来AI半导体将从HBM时代的2.5D封装走向3D堆叠逻辑芯片和存储芯片的新型高级封装。存储企业同芯片代工+高级封装企业的合作有利于相关研发推进。
