2月3日消息，东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布推出采用新型L-TOGL™（大型晶体管轮廓鸥翼式引脚）封装的车载40V N沟道功率MOSFET—“XPQR3004PB”和“XPQ1R004PB”。
这两款MOSFET具有高额定漏极电流和低导通电阻。
官方表示，这两款新品采用了东芝的新型L-TOGL™封装，支持大电流、低导通电阻和高散热。上述产品未采用内部接线柱结构，通过引入一个铜夹片将源极连接件和外部引脚一体化。源极引脚采用多针结构，与现有的TO-220SM(W)封装相比，封装电阻下降大约30%，从而将XPQR3004PB的漏极额定电流（DC）提高到400A，高出当前产品1.6倍。厚铜框的使用使XPQR3004PB内的沟道到外壳热阻降低到当前产品的50%。这些特性有利于实现更大的电流，并降低车载设备的损耗。
