3月5日消息，美光科技公司计划率先支持佳能的纳米印刷技术，从而进一步降低生产DRAM存储芯片的单层成本。
美光公司近日举办了一场演讲，介绍在将纳米印刷技术应用于DRAM生产的一些细节。美光在演讲中表示DRAM节点和沉浸式光刻分辨率问题，名为“Chop”的层数量不断增加，这就意味着添加更多的曝光步骤，来取出密集存储器阵列外围的虚假结构（dummystructures）。
美光公司表示由于光学系统本身性质，这些DRAM层的图案很难用光学光刻技术进行印刷，而纳米打印方式可以用更精细的方式打印出来，且鉴于纳米印刷技术应用成本是沉浸式光刻技术的五分之一，因此是非常不错的解决方案。
纳米印刷技术并不能在内存芯片生产的所有阶段取代传统的光刻技术，两者并非纯粹的竞争关系，但该技术至少可以降低单个技术操作的成本。
此前报道，佳能2023年10月公布FPA-1200NZ2C纳米压印光刻（NIL）半导体设备。佳能社长御手洗富士夫表示，纳米压印光刻技术的问世，为小型半导体制造商生产先进芯片开辟了一条新的途径。
佳能半导体设备业务经理岩本和德表示，纳米压印光刻是指将带有半导体电路图案的掩模压印在晶圆上，只需一个印记，就可以在适当的位置形成复杂的2D或3D电路图案，因此只需要不断改进掩模，甚至能生产2nm芯片。
