三星电子否认将在HBM芯片生产中应用MR-MUF工艺

3月13日消息，三星电子发布声明称，关于三星将在其HBM芯片生产中应用MR-MUF（批量回流模制底部填充）技术的传言并不属实。

今日早些时候，据路透社报道，知情人士透露，三星电子计划采用竞争对手SK海力士使用的MR-MUF（批量回流模制底部填充）芯片封装工艺，替代目前使用的非导电薄膜（NCF）技术。

报道称，知情人士表示，三星最近发出了处理MR-MUF技术的设备采购订单。

三星还在与包括日本长濑公司在内的材料制造商洽谈采购MUF材料的事宜，但使用这一技术的高端芯片最早要到明年才能实现量产。