SK海力士计划斥资5.3万亿韩元在韩新建DRAM生产基地

4月25日消息，据报道，SK海力士宣布计划投资约5.3万亿韩元，在韩国清州建造新的DRAM存储芯片大型生产基地。

据悉，这一建设计划将于4月底开始，预计可能于2025年11月完工，并进行早期批量生产。

SK海力士在声明中称，包括计划逐步增加的投资在内，新生产基地的长期投资总额预计将超过20万亿韩元。

据介绍，新生产基地旨在提高DRAM的产能，重点是高带宽内存（HBM）芯片。

此前，SK海力士宣布计划投资约39亿美元，在美国印第安纳州建立一座先进的芯片封装工厂和人工智能（AI）产品研究中心。